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技術(shù)編號(hào)：40592299

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本申請涉及半導(dǎo)體薄膜氣相沉積，例如涉及一種噴淋組件及半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備。背景技術(shù)、目前，在現(xiàn)有的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma?enhanced?chemical?vapordeposition，pecvd)薄膜制程中，由于等離子體具有擴(kuò)散特性，導(dǎo)致不僅會(huì)在晶圓表面形成薄膜，也會(huì)在噴淋板的表面、反應(yīng)腔的側(cè)壁以及加熱盤的底部形成沉積。、因此，在制程結(jié)束后后需要進(jìn)行反應(yīng)腔清潔，現(xiàn)有的pecvd清潔方式一般為使用遠(yuǎn)程等離子體源(remote?plasma?source，rps)進(jìn)行反應(yīng)腔清洗。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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