技術(shù)編號：40601965
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種薄型配線部件的制造方法、薄型配線部件及配線基板的制造方法。背景技術(shù)、在專利文獻中公開有一種扇出型半導體裝置的一例。在該半導體裝置中，在半導體芯片與外部連接端子之間設(shè)置再配線層，通過再配線層擴大半導體芯片的端子間隔而與外部連接端子連接。、以往技術(shù)文獻、專利文獻、專利文獻：日本特開-號公報技術(shù)實現(xiàn)思路、發(fā)明要解決的技術(shù)課題、在以往方法中，會有在基板上形成再配線層的情況，但因基板的高度偏差大等理由，有時難以進行再配線層的微細配線化。因此，對通過圖案形成...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。