技術(shù)編號(hào):40602121
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光刻膠,特別是涉及一種co基有機(jī)配位納米顆粒及其制備方法、光刻膠組合物及其應(yīng)用。背景技術(shù)、光刻膠(photoresist)是指通過(guò)紫外光、電子束、粒子束、極紫外(extreme?ultra-violet,euv)或者軟x射線等的照射,使得溶解度發(fā)生變化的耐蝕薄膜材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步以及摩爾定律的發(fā)展,半導(dǎo)體制程隨之不斷減小,對(duì)加工的特征尺寸減小提出了更高的要求。為了滿足更先進(jìn)的半導(dǎo)體制程,實(shí)現(xiàn)更小的特征尺寸,光刻技術(shù)也在不斷發(fā)展,從i-線、g線、深紫外(deep?ultra...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。