技術(shù)編號：40602883
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件，具體涉及一種fdsoi(fully?depleted?siliconon?insulator，全耗盡絕緣體上硅)器件交流小信號與nbti(negative?bias?temperatureinstability負偏壓溫度不穩(wěn)定)效應(yīng)聯(lián)合仿真方法。背景技術(shù)、近年來，半導(dǎo)體集成電路行業(yè)快速發(fā)展，器件尺寸不斷縮小以及柵氧化層的厚度不斷減薄，器件的可靠性問題越來越嚴重，包括負偏壓溫度不穩(wěn)定(nbti)、熱載流子注入(hci)、總劑量效應(yīng)(tid)以及經(jīng)時擊穿(tddb)等問題，而...
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