技術(shù)編號：40606596
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開內(nèi)容涉及豎直nand閃存器件和包括其的電子設(shè)備。背景技術(shù)、隨著相關(guān)技術(shù)的硬盤已經(jīng)被固態(tài)驅(qū)動器(固態(tài)硬盤，ssd)代替，作為非易失性存儲器器件的nand閃存器件已經(jīng)被廣泛商業(yè)化。最近，根據(jù)小型化和高集成，已經(jīng)開發(fā)了其中多個存儲器單元在垂直于基板(襯底)的方向上堆疊的豎直nand閃存器件。、在豎直nand閃存器件中，由于堆疊級(stacked?stage)的數(shù)量的增加和存儲器單元的高度的減小，可發(fā)生在存儲器單元之間的橫向電荷擴展(lateral?chargespreading)。這樣的橫向...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。