技術編號：40606845
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體材料，尤其涉及一種硅襯底氮化鎵半導體晶片及其制備方法和應用。背景技術、硅(si)單晶襯底具有立方金剛石晶體結構，晶格常數(shù)為.nm，si()晶面的面內(nèi)晶格常數(shù)為.nm、面內(nèi)熱膨脹系數(shù)為.×-k-；氮化鎵(gan)具有六方纖鋅礦晶體結構，晶格常數(shù)a＝.nm、c＝.nm，a軸熱膨脹系數(shù)為.×-k-、c軸熱膨脹系數(shù)為.×-k-。利用硅單晶襯底來制備生長氮化鎵(gan)會存在比較大的晶格失配(失配度-...
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