技術(shù)編號:40608039
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請屬于憶阻器陣列測試,特別是涉及一種憶阻器陣列測試方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)、憶阻器陣列是具有記憶功能的新型非線性電阻,其阻值能隨電荷流經(jīng)的方向和數(shù)量發(fā)生相應(yīng)變化,從而記憶住每時每刻流經(jīng)的電荷量,當(dāng)不再有電荷流經(jīng)時,阻值能保持不變。因此,憶阻器陣列作為具有非線性動態(tài)阻變特性、高速、低功耗、高集成度、存儲與計算融合功能的新型電子器件,測試、憶阻器陣列的性能,對信息存儲與邏輯計算及其融合、類腦功能器件等領(lǐng)域具有重大的意義。、目前,對憶阻器陣列進行測試,一般是對單個憶阻器陣列的電流特性進行分析,無...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。