技術(shù)編號：40609372
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)及制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于納米壓印光刻的壓印掩膜版及其制備方法。背景技術(shù)、納米壓印是高效復(fù)制微納尺寸特征結(jié)構(gòu)的低成本制造方法，有極大潛力替代紫外光刻技術(shù)，在晶圓的實(shí)現(xiàn)納米尺度的圖案制備。該技術(shù)可以應(yīng)用于制備微流控芯片、生物芯片、衍射光學(xué)器件、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)產(chǎn)品、虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)品等。近年來，基于該技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的圖形分辨率逼近nm，其應(yīng)用領(lǐng)域也有望拓展至先進(jìn)半導(dǎo)體制造。、紫外光刻的衍射效應(yīng)會導(dǎo)致實(shí)際加工得到的圖案與原始設(shè)計(jì)圖案存在失真，通常采用光學(xué)臨近效應(yīng)修正技術(shù)(opc...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。