技術編號：40609798
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開實施例涉及半導體領域，特別涉及一種半導體結構及其制備方法。背景技術、隨著集成電路工藝、制程技術的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，晶體管(mos)器件的特征尺寸不斷縮小。在高介電材料金屬柵(hkmg)、鰭式晶體管(finfet)等工藝節(jié)點下，在提升mos器件的工作速度和降低它的功耗的同時，需要面對一系列問題。、為了降低mos器件的功耗，本領域技術人員基于金屬自身的電阻小的優(yōu)點，在多個工藝節(jié)點采用金屬導線作為連接的介質(zhì)，由此帶來一系列問題。例如，相鄰的金屬導線之間短路，進而導致芯片失效...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。