技術(shù)編號：40610400
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請實施例涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)、隨著物聯(lián)網(wǎng)(iot)、人工智能(ai)、三維(d)成像等領(lǐng)域?qū)Υ髷?shù)據(jù)分析需求效率增加和小型化需求。基于硅通孔(through?silicon?via，tsv)的d堆疊存儲器由于具有高密度、高帶寬、低功耗接口和小尺寸等優(yōu)點，被認為是下一代存儲架構(gòu)。需要提升d堆疊存儲器的器件良率和可靠性。技術(shù)實現(xiàn)思路、有鑒于此，本申請實施例提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。、第一方面，本申請實施例提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習。