技術(shù)編號：40610401
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及材料輻照損傷，尤其是指基于輻照性質(zhì)調(diào)控單晶硅片電容靈敏度的方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)、單晶硅是一種由硅原子以特定排列形式形成的物質(zhì)，具有高度的有序性和純度，是半導體材料的重要組成部分。同時，單晶硅憑借其導電導熱性、抗輻射、耐高溫以及較高的紅外透過率和折射率等優(yōu)異性能，被廣泛應用于太陽能電池、集成電路、半導體器件、光學器件及生物醫(yī)學領域。、在輻照環(huán)境中，包含大量的高能量粒子，會對半導體器件造成損傷，其中包括電離損傷和位移損傷。其中，電離損傷是通過打破半導體材料中的能帶平衡產(chǎn)生電子和空穴載流...
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