技術(shù)編號(hào):40612043
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及靜電卡盤,特別涉及一種用于氮化鋁靜電卡盤的填孔漿料及其制備方法。背景技術(shù)、目前氮化鋁靜電吸盤所用填孔工藝主要以htcc高溫共燒為主,其填孔的目的為制作電極柱,所用電子漿料大多為w漿、mo/mn漿,但靜電吸盤較常規(guī)htcc產(chǎn)品的填孔有其特殊性:所填孔的尺寸水平及厚度方向都更大,即所需填入的漿料更多。、如上述靜電吸盤的填孔特殊性,燒結(jié)后存在一定缺陷:w、mo、mn在高溫?zé)Y(jié)過(guò)程中易與氣氛或產(chǎn)品中的殘c發(fā)生反應(yīng)生成wc、moc、mnc,導(dǎo)致填孔所制成的電極柱阻值產(chǎn)品變化,且會(huì)隨著碳化...
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