技術(shù)編號(hào)：40612894
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工，尤其涉及一種加熱盤角度調(diào)節(jié)裝置、一種加熱盤角度調(diào)節(jié)裝置方法，以及一種半導(dǎo)體器件的加工設(shè)備。背景技術(shù)、在薄膜沉積設(shè)備中，晶圓的加熱和定位是非常關(guān)鍵的工藝環(huán)節(jié)。在多層薄膜結(jié)構(gòu)中，每一層的圖案都需要與底下的層精確對(duì)齊。晶圓定位的準(zhǔn)確性直接影響到不同層之間的對(duì)位精度，這對(duì)于制造復(fù)雜集成電路至關(guān)重要。此外，晶圓邊緣的薄膜沉積通常與中心區(qū)域不同，準(zhǔn)確的定位有助于控制這種邊緣效應(yīng)，確保整個(gè)晶圓的沉積質(zhì)量。、現(xiàn)有技術(shù)中，加熱盤的設(shè)計(jì)主要分為固定式和旋轉(zhuǎn)式。固定式加熱盤僅具備水平和對(duì)中調(diào)...
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