技術(shù)編號：40614145
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、相變存儲器(pcm)中，存儲單元由相變材料構(gòu)成，并利用相變材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時所表現(xiàn)出來的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)。三維相變存儲器(d?pcm)是基于堆疊技術(shù)而形成的三維結(jié)構(gòu)的存儲器。、隨著半導(dǎo)體集成電路的集成度不斷提高，需要實(shí)現(xiàn)更小的線寬。在光刻機(jī)的分辨率有限的情況下，如果要實(shí)現(xiàn)更小的線寬，就需要采用雙重曝光光刻(double?exposurelithography)，甚至需要采用多重曝光光刻(mul...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。