技術(shù)編號：40615396
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氮化鎵，特別涉及一種氮化鎵單晶襯底高效研磨拋光裝置。背景技術(shù)、作為第三代半導(dǎo)體的氮化鎵是寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。廣泛用于制作高溫、高頻、大功率和抗輻射電子器件，例如半導(dǎo)體照明、g通信、衛(wèi)星通信、光通信、電力電子、航空航天等領(lǐng)域，已被認(rèn)為是當(dāng)今電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動力，是最有前途的第三代半導(dǎo)體材料之一。、現(xiàn)有的技術(shù)在對氮化鎵單晶襯底進(jìn)行研磨拋光的時候，為了讓研磨的效果更好，需要更換不同的研磨盤，對氮化鎵單晶襯...
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