技術(shù)編號：40619538
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及半導(dǎo)體腔室，具體為一種半導(dǎo)體腔室的支撐塊固定結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、物理氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。、公告號為cnu的專利公開了一種半導(dǎo)體腔室的進(jìn)排氣結(jié)構(gòu)，包括腔室、冷卻機(jī)構(gòu)、過濾機(jī)構(gòu)、出氣口，所述腔室上設(shè)置有冷卻機(jī)構(gòu)，所述腔室上固定連接有支撐塊，所述支撐塊上通過螺紋連接有螺釘，所述腔室的上端設(shè)置有進(jìn)氣管，所述進(jìn)氣管上...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。