技術編號：40621939
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及碲化鎘晶體制備，具體為一種碲化鎘晶體制備用冷卻裝置及其使用方法。背景技術、碲化鎘作為一種重要的ⅱ—ⅵ族化合物半導體材料，晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型，具有直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù).nm，禁帶寬度.ev(℃)，室溫電子遷移率，室溫空穴遷移率，電子有效質(zhì)量.，碲化鎘晶體在制備的過程中需要用到冷卻裝置對制備好的晶體進行冷卻。、現(xiàn)有的冷卻裝置冷卻溫度大都是指定的，變化幅度較小，對工件的冷卻方式大都是快速對工件進行冷卻，碲化鎘晶體在快速冷卻時，低溫會影響碲化鎘液體擴散的速...
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