技術(shù)編號(hào)：40624897
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。與本公開一致的裝置和器件涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，特別地，涉及包括垂直溝道晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。背景技術(shù)、由于電子技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的按比例縮小正在迅速進(jìn)行，因此，已經(jīng)提出了一種具有采用氧化物半導(dǎo)體材料的溝道層的晶體管，以減少經(jīng)由溝道區(qū)的泄漏電流。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、一方面是提供一種通過在兩個(gè)階段中執(zhí)行溝道形成工藝而具有改善的器件特性和改善的可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。、另一方面是提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。、根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式的一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：襯底；下導(dǎo)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。