技術編號：40627115
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體材料制造工藝，尤其涉及一種基于低氧含量氧化鎵緩沖層的氧化鎵薄膜及其制備方法。背景技術、氧化鎵是一種帶隙在.～.ev的寬帶隙半導體，因其具有較寬的帶隙，所以其在可見光波段具有％以上的透過率，而其在深紫外波段，尤其是其吸收邊的nm具有很強的光吸收特性。其還具有擊穿電場大，穩(wěn)定性高，介電常數(shù)小等優(yōu)勢，已經(jīng)在g通信，紫外探測，太陽能電池，新能源汽車等領域中展現(xiàn)出巨大的應用潛力。、氧化鎵薄膜因其二維特性能較好的將其應用在器件上，而氧化鎵薄膜的成膜質(zhì)量很大程度的影響了...
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