技術(shù)編號：40628307
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種下電極組件及其等離子體處理裝置。背景技術(shù)、在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過程中，需要進(jìn)行大量的微觀加工，其中常用的微加工工藝包含等離子刻蝕、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積等方式。微加工制造的進(jìn)程中往往伴隨著等離子體輔助工藝，這些工藝一般都在真空反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，其中，等離子體輔助工藝中的等離子體刻蝕工藝是將晶圓加工成設(shè)計(jì)圖案的關(guān)鍵工藝。等離子體刻蝕工藝的工作原理一般是向真空反應(yīng)腔內(nèi)通入含有適當(dāng)?shù)目涛g劑或淀積源氣體的反應(yīng)氣體，然后再對該真空反應(yīng)腔進(jìn)行射頻能量的輸入，以激活反應(yīng)氣體...
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