技術(shù)編號(hào):40628758
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式一般沉積在高深寬比結(jié)構(gòu)中提供硅基間隙填充(gapfill)的方法。特定而言,本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施方式涉及在無(wú)需蒸汽的情況下在低溫下形成氧化硅間隙填充的方法。背景技術(shù)、通過(guò)在基板表面上產(chǎn)生復(fù)雜(intricately)圖案化材料層的處理使得可以制成集成電路。在基板上產(chǎn)生圖案化材料需要形成和去除暴露材料的受控方法。隨著器件尺寸不斷縮小,材料形成可能會(huì)影響后續(xù)操作。、在間隙填充操作中,可形成或沉積材料以填充在半導(dǎo)體基板上形成的溝槽或其他特征。由于特征可能被表征為較高的深寬比和減...
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