技術(shù)編號:40633750
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及集成電路領(lǐng)域,特別是涉及一種nor型存儲(chǔ)器件。背景技術(shù)、目前閃存(flashmemory)分為nor型和nand型,其中前者將存儲(chǔ)單元并聯(lián)排列而后者將存儲(chǔ)單元串聯(lián)排列。由于存儲(chǔ)單元電路結(jié)構(gòu)的差別,相比于nand型存儲(chǔ)器,較難提高nor型存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)器件的集成密度。、由此,提出了許多新型設(shè)計(jì)來盡量提高nor型存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)單元的集成密度。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本公開要解決的一個(gè)技術(shù)問題是提供一種具有新型結(jié)構(gòu)的nor型存儲(chǔ)器件來提高其集成密度,并且制造工藝簡單易行。、根據(jù)本公開的第一個(gè)方面,...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。