技術(shù)編號(hào):40633903
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ),尤其涉及一種存儲(chǔ)器及其制備方法、電子設(shè)備。背景技術(shù)、隨著信息爆炸發(fā)展,存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展方向是更高的存儲(chǔ)密度,以獲得更高的存儲(chǔ)容量,進(jìn)而,三維(dimensional,d)存儲(chǔ)器應(yīng)運(yùn)而生。三維存儲(chǔ)器中通常包括多個(gè)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)陣列,存儲(chǔ)陣列通過(guò)垂直于襯底向上堆疊形成d結(jié)構(gòu)。其中,存儲(chǔ)陣列中可以包括多個(gè)存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元均包括一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor,mos...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。