技術(shù)編號：40634092
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地，涉及集成電路存儲器件。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體器件尺寸不斷縮減，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dynamic?random?accessmemory，dram)器件的尺寸也在減小。在具有其中一個電容器連接到一個晶體管的t-c結(jié)構(gòu)的dram器件中，存在這樣的問題，即，通過溝道區(qū)域的漏電流通常隨著器件變小而增加。為了減少漏電流，已經(jīng)提出了使用氧化物半導(dǎo)體材料作為溝道層的垂直溝道晶體管。技術(shù)實現(xiàn)思路、本發(fā)明構(gòu)思提供了一種具有優(yōu)異電性能的半導(dǎo)體器件，諸如dram器件。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。