技術(shù)編號：40634665
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請屬于半導體，尤其涉及一種光刻仿真模型構(gòu)建方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品。背景技術(shù)、目前在半導體集成電路制造工藝中，光刻技術(shù)是電子器件中電路結(jié)構(gòu)制造的基本工藝。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，具有納米級特征尺寸的結(jié)構(gòu)已逐漸成為半導體器件制造的主流趨勢，光刻技術(shù)也變得愈發(fā)復雜。嚴格光刻仿真作為一種版圖設(shè)計工具，可以輔助半導體技術(shù)人員模擬光刻流程，設(shè)計工藝窗口，進一步縮短開發(fā)周期，提高產(chǎn)品質(zhì)量。、在光刻技術(shù)中，后烘(peb,post-exposure-baking)作為其重要的一個步驟，其主要目的是促...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。