技術編號：40634803
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于功率半導體器件，涉及一種高可靠vld終端。背景技術、功率半導體器件主要由元胞區(qū)和終端區(qū)兩部分組成，終端結構的設計對功率器件的擊穿電壓特性至關重要。場板場限環(huán)是最常用的終端結構，但隨著器件耐壓的增加，當場限環(huán)個數(shù)增加到一定程度后，對擊穿電壓的提高效果不再明顯，且浪費了大量的芯片面積，增加了生產(chǎn)成本。文獻stengl?r，gosele?u.variation?of?lateral?doping-a?newconcept?to?avoid?high?voltage?breakdown?o...
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