技術(shù)編號(hào):40635652
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米,尤其涉及一種基于雙層膜屈曲結(jié)構(gòu)的納米膜厚度測(cè)定方法。背景技術(shù)、不管是薄膜的基礎(chǔ)性質(zhì)還是應(yīng)用研究,薄膜的厚度測(cè)量往往都是必要的。傳統(tǒng)上,單層薄膜的厚度測(cè)定主要依賴測(cè)厚儀,以及以光束衍射干涉為基礎(chǔ)的光學(xué)儀器。測(cè)厚儀等傳統(tǒng)的測(cè)試手段往往只適用于微米及以上的薄膜厚度。光學(xué)設(shè)備也受制于單光子的波長(zhǎng),測(cè)定薄膜厚度的極限在百納米尺度。而當(dāng)薄膜厚度小于幾十納米甚至降到十納米以下時(shí),現(xiàn)有薄膜厚度測(cè)試方案測(cè)得的厚度值往往存在顯著的誤差。另外,隨著柔性電子的發(fā)展。柔性電子器件的構(gòu)筑往往需要復(fù)合多層不...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。