技術編號：40637073
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及mos半導體，尤其涉及一種結終端拓展結構及其制備方法。背景技術、碳化硅(silicon?carbide)高壓功率器件較傳統(tǒng)的硅器件具有更加優(yōu)異的電熱學性能，可以在更苛刻的環(huán)境下正常工作，因此在光伏發(fā)電、電動汽車和航天航空等領域有著廣泛應用前景。為了滿足電力電子系統(tǒng)高能效、高功率密度和小型輕量化的發(fā)展需求，?sic功率器件正朝著高壓、大功率、高頻和低損耗的方向發(fā)展。、現(xiàn)有專利公開了一種碳化硅功率器件終端結構及其制造方法（公開號cna），器件包括器件元胞和器件終端；器...
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