技術(shù)編號：40637692
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及集成電路設(shè)計及制造，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、存儲器及其制備方法。背景技術(shù)、隨著集成電路制造工藝的不斷發(fā)展，市場對半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品的存儲能力及存儲性能提出了更高的要求。二維存儲器陣列在微縮方面對工藝和制造設(shè)備的挑戰(zhàn)很大，在垂直方向堆疊多層二維存儲單元陣列成為重要技術(shù)發(fā)展方向之一，以實現(xiàn)高密度存儲。、然而，立體堆疊型存儲器中存儲單元的體積與間距不斷減小，導(dǎo)致存儲單元的制備復(fù)雜度不斷提高，且性能及可靠性亟待提升。技術(shù)實現(xiàn)思路、基于此，本公開提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、存儲器及其制備方法，至少能...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。