技術(shù)編號：40638590
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù)、環(huán)柵晶體管包括的柵堆疊不僅形成在溝道的頂部和側(cè)壁上，還形成在溝道的底部，因此相對于平面晶體管和鰭式場效應(yīng)晶體管，環(huán)柵晶體管具有較高的柵控能力等優(yōu)勢?；诖?，當(dāng)半導(dǎo)體器件包括的晶體管采用環(huán)柵晶體管時(shí)，可以提高該半導(dǎo)體器件的工作性能。并且，在實(shí)際的制造過程中，犧牲層和溝道層中的至少一者的材料中可能含有鍺，以至少實(shí)現(xiàn)對溝道層的選擇性釋放。、但是，鍺原子在高溫處理過程中擴(kuò)散到其他區(qū)域，從而污染后繼的前道工藝流程或?qū)π纬筛哔|(zhì)量的源/漏區(qū)等結(jié)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。