技術(shù)編號(hào)：40646956
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及內(nèi)存顆粒芯片，具體來說是一種內(nèi)存顆粒走線方法。背景技術(shù)、內(nèi)存顆粒芯片，作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（dram）的通用形式，已在眾多領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括個(gè)人電腦、服務(wù)器、通信設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)。ddr內(nèi)存顆粒，即雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存，以其高速同步傳輸能力而聞名。隨著技術(shù)的進(jìn)步，ddr內(nèi)存已經(jīng)發(fā)展到了第五代，其數(shù)據(jù)傳輸速率顯著提升，ddr的單根數(shù)據(jù)線傳輸速率可達(dá)到.gbps，地址線速率為.gbps。、然而，隨著速率的增加，信號(hào)完整性問題，如信號(hào)損耗、反射和串?dāng)_，變得更加突出。為了確保...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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