技術(shù)編號(hào)：40647257
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體為一種增強(qiáng)型氮化物半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、氮化物半導(dǎo)體功率器件相比于傳統(tǒng)硅材料器件具有高擊穿電場(chǎng)，更加節(jié)能，物理化學(xué)性質(zhì)更加穩(wěn)定，可以工作于更高的環(huán)境溫度下，具有更高的開關(guān)速度可以降低應(yīng)用系統(tǒng)的體積重量等多種優(yōu)勢(shì)，可應(yīng)用于各種家用電器，電動(dòng)汽車，太陽能風(fēng)能等新能源發(fā)電，電動(dòng)汽車，機(jī)器人以及智能制造產(chǎn)業(yè)，大型數(shù)據(jù)處理中心等廣泛領(lǐng)域。、目前氮化物晶體管器件主要采用高電子遷移率晶體管(hemt)結(jié)構(gòu)，利用al?gan勢(shì)壘層與gan溝道層界面處由于極化電場(chǎng)的不連續(xù)形成的高濃...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。