技術編號:40647320
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體,具體涉及一種二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管及其制備方法。背景技術、隨著電力電子技術的飛速發(fā)展,gao作為一種新興超寬禁帶氧化物半導體得到了廣泛關注,其具有禁帶寬度大、熱穩(wěn)定性好、擊穿場強高、抗輻照性能好等優(yōu)點,是高頻大功率器件較為理想的候選材料。氧化鎵具有α、β、γ、δ和ε(κ)五種不同相的同分異構體,其中,β-gao是熱力學第一穩(wěn)定相,其他相均為亞穩(wěn)態(tài),相較于gan、sic等第三代半導體材料,β-gao具有超寬的準直接帶隙(~.ev)、極高的擊穿場...
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該類技術注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學習。