技術(shù)編號(hào)：40648825
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及電鍍，特別涉及一種電鍍?cè)O(shè)備。背景技術(shù)、硅片暴露在空氣中時(shí)，會(huì)與空氣中的氧氣反應(yīng)形成氧化層。自然氧化層的形成是一個(gè)動(dòng)態(tài)過程，隨著氧化的進(jìn)行，氧化層會(huì)逐漸增厚，但由于氧化過程中氧分子的擴(kuò)散速率會(huì)逐漸減小，所以最終會(huì)達(dá)到一種平衡狀態(tài)，形成一層固定厚度的氧化層。、在電鍍過程中，硅片的自然氧化層在金屬沉積過程中可能會(huì)影響相應(yīng)工藝穩(wěn)定性。金屬沉積是將金屬層沉積在硅片表面的過程，如果在金屬沉積之前未去除自然氧化層，金屬將沉積在氧化硅層上，而不是直接在硅片上，這可能會(huì)導(dǎo)致金屬與硅之間的接觸不良，影...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。