技術(shù)編號(hào)：40652408
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種碳化硅ldmos半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成方法、器件碳化硅ldmos結(jié)構(gòu)以及碳化硅ldmos半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)、半橋電路是一種常見的電子電路結(jié)構(gòu)，通常由兩個(gè)晶體管和一個(gè)負(fù)載組成。根據(jù)電路的需要，可能會(huì)添加一個(gè)穩(wěn)壓二極管或一個(gè)齊納二極管。在半橋電路中，兩個(gè)晶體管通常交替導(dǎo)通，從而產(chǎn)生一個(gè)振蕩信號(hào)作為輸出電壓提供給負(fù)載。、基于電路圖的習(xí)慣畫法，兩個(gè)晶體管通常分別被稱為high?side?mos(高邊mos管，又稱為上管)和low?side?mos(低邊mos管，又稱...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。