技術(shù)編號(hào)：40653204
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體而言，涉及一種溝槽功率器件及溝槽功率器件的制備方法。背景技術(shù)、功率mosfet具有低正向電壓降、高轉(zhuǎn)換速度、容易柵控制等特點(diǎn)，在電力電子應(yīng)用中成為一種重要的半導(dǎo)體器件。功率mosfet的柵極抗靜電能力和芯片面積，柵極氧化層厚度直接相關(guān)，sic?mos器件和si?mos器件相比，受材料和工藝特點(diǎn)限制，芯片面積小，柵極氧化層厚度薄，器件柵極抗靜電擊穿能力差。隨著sic?mos器件應(yīng)用越來越廣泛，高抗靜電能力的新型sic?mos不斷出現(xiàn)，新型sic?mos器件在開啟狀態(tài)下的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。