技術(shù)編號:40653653
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及一種應(yīng)力呈階梯分布的碳化硅襯底,屬于碳化硅生產(chǎn)加工。背景技術(shù)、碳化硅(碳化硅)單晶襯底由于具有禁帶寬度大、電阻率及熱導(dǎo)率高、擊穿場強(qiáng)大等優(yōu)異的物理性能,而成為制備gan基高頻微波器件的優(yōu)選半導(dǎo)體材料。隨著g技術(shù)的不斷發(fā)展,市場端對碳化硅單晶襯底的需求數(shù)量不斷擴(kuò)大,更重要的,批量商業(yè)化的應(yīng)用對碳化硅單晶襯底的質(zhì)量要求也提出了更高的要求。、碳化硅晶體在生長過程中,由于si/c比例失衡、雜質(zhì)引入及溫梯變化等易在晶體中引入多晶、多型、微管、位錯(cuò)等各類缺陷,缺陷會造成晶格畸變,更嚴(yán)重會使晶...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。