技術(shù)編號(hào):40653847
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及化工提純的領(lǐng)域,尤其是涉及一種精萘動(dòng)態(tài)結(jié)晶器的遠(yuǎn)程控制方法及相關(guān)設(shè)備。背景技術(shù)、工業(yè)提純精萘通常用降膜結(jié)晶器,熔融狀態(tài)萘原料流入結(jié)晶器的結(jié)晶管內(nèi)并在冷媒的作用下在結(jié)晶管的內(nèi)壁上形成晶體,但晶體中存在硫茚雜質(zhì)影響精萘純度,雜質(zhì)硫茚同為晶體狀,則需熱媒控制溫度僅對(duì)雜質(zhì)硫茚進(jìn)行熔化,熔化后的雜質(zhì)硫茚在重力作用下向下排出,但由于硫茚晶體是嵌生于萘晶體中的,因此會(huì)發(fā)生硫茚雜質(zhì)熔化的不徹底,或者熔化后不能及時(shí)滴落的情況,導(dǎo)致雜質(zhì)硫茚不能夠完全去除。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、為了能夠更快地去除結(jié)晶中的硫茚雜...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。