技術(shù)編號(hào)：40654438
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，尤其是涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制作方法。背景技術(shù)、隨著各種電子產(chǎn)品朝小型化發(fā)展之趨勢(shì)，半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)也必須符合高積集度及高密度之要求。對(duì)于具備凹入式閘極結(jié)構(gòu)之動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（dynamic?randomaccess?memory，?dram）而言，由于其可以在相同的半導(dǎo)體襯底內(nèi)獲得更長(zhǎng)的載子通道長(zhǎng)度，以減少電容結(jié)構(gòu)之漏電情形產(chǎn)生，因此在目前主流發(fā)展趨勢(shì)下，其已逐漸取代僅具備平面閘極結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體。一般來(lái)說(shuō)，具備凹入式閘極結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。