技術(shù)編號(hào):40656301
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶圓干燥,特別是涉及一種濕法晶圓干燥中實(shí)現(xiàn)更高線寬徑深比的方法。背景技術(shù)、晶圓干燥是半導(dǎo)體制造過程中的重要步驟,其主要目的是在濕法清洗后去除晶圓內(nèi)部溝槽結(jié)構(gòu)的水分或其他液體,以防止水痕化合物污染和提高器件質(zhì)量,現(xiàn)有技術(shù)使用ipa和diw表面張力差進(jìn)行晶圓的干燥處理,但其表面張力差較小,難以滿足實(shí)現(xiàn)較高寬深比的電路線寬清洗后的微觀干燥要求,并且ipa為有機(jī)溶劑,有易燃易爆的風(fēng)險(xiǎn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明的目的在于提供一種濕法晶圓干燥中實(shí)現(xiàn)更高線寬徑深比的方法,以解決上述背景技術(shù)中提出,現(xiàn)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。