技術(shù)編號(hào)：40817396
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氧化鎵制備，尤其涉及一種熒光粉用高純度氧化鎵的制備方法及設(shè)備。背景技術(shù)、氧化鎵本身，一種寬禁帶半導(dǎo)體瑰寶，禁帶寬度橫跨.ev至.ev，其電學(xué)與光學(xué)特性卓越非凡，歷經(jīng)溫度變遷而不改其質(zhì)，耐酸堿侵蝕之考驗(yàn)。廣泛應(yīng)用于氣敏傳感、紫外探測(cè)、薄膜電致發(fā)光及透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域，其發(fā)展前景與應(yīng)用潛力不可限量，氧化鎵作為led熒光粉中的璀璨元素，隨著新材料探索的深入，其應(yīng)用領(lǐng)域正不斷拓寬，展現(xiàn)出前所未有的廣闊前景。、伴隨半導(dǎo)體行業(yè)的蓬勃發(fā)展，高純氧化鎵化合物在現(xiàn)代及國防工業(yè)中的戰(zhàn)略地位日益...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。