技術(shù)編號：40818522
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及形成具有低寄生電容的隔離區(qū)域。背景技術(shù)、集成電路(ic)材料和設計方面的技術(shù)進步已經(jīng)產(chǎn)生了幾代ic，其中，每代具有比前幾代更小且更復雜的電路。在ic演進的過程中，功能密度(例如，每芯片面積的互連器件的數(shù)量)通常增加，而幾何尺寸減小。這種按比例縮小的工藝通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供益處。、這種縮小也增加了處理和制造ic的復雜性，并且為了實現(xiàn)這些進步，需要ic處理和制造中的類似發(fā)展。例如，柵極全環(huán)繞(gaa)晶體管已經(jīng)被引入以替換平面晶體管。gaa晶體管的結(jié)構(gòu)和制造gaa晶...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。