技術編號：4870391
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。硅表面制備相關技術本申請與2001年3月26日提交的Pagliaro等的美國專利 6,620,743相關。10發(fā)明背景發(fā)明領域本發(fā)明涉及制備潔凈且穩(wěn)定的硅表面的方法。15 相關技術描述潔凈的半導體表面是高產(chǎn)量制備集成電路的一個關鍵因素。在 半導體表面發(fā)生的污染有兩種主要類型薄膜和微粒。微粒是具有容 易界定的邊界的物質，而薄膜(如裸露硅表面上的天然氧化物)是晶 片表面物質層。20 為了優(yōu)化集成電路的產(chǎn)量，最小化或消除硅晶片表面的薄膜和 微粒是重要的。在裸露硅...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。