技術編號：4914468
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是關于破壞殘留氣如在外延爐或CVD氣相化學沉積容器中產生的氣體中的氫化物的方法的。該法是使殘留氣與含有反應劑和和反應促進劑的固體氧化催化劑接觸。像硅烷、磷化氫、胂、乙硼烷這樣的揮發(fā)性氫化物是現(xiàn)在大量用于電子工業(yè)的化學氣體。例如在VLST型集成電路生產的各步驟中，將硅烷作為一種硅源，應用于電子工業(yè)中。在外延爐或CVD容器中的化學反應總是不完全的，常常在反應器出口處發(fā)現(xiàn)一定數(shù)量的、具有危害性的反應氣體。由日本專利申請NO.61-90726可知，處理含硅化...
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