技術(shù)編號:4962477
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及表現(xiàn)出高的光催化活性的貴金屬負(fù)載光催化劑粒子(或貴金屬負(fù)載 光催化劑體粒子)的制造方法,以及通過該方法得到的貴金屬負(fù)載光催化劑粒子的分散 液。背景技術(shù)當(dāng)半導(dǎo)體受到能量大于其帶隙能的光照射時,價帶中的電子被激發(fā)至導(dǎo)帶。因此, 在價帶中產(chǎn)生空穴,并且電子被激發(fā)至導(dǎo)帶。因為這種空穴和電子分別具有強(qiáng)氧化能力和 強(qiáng)還原能力,所以他們表現(xiàn)出對半導(dǎo)體接觸物質(zhì)的氧化_還原反應(yīng)。這種氧化_還原反應(yīng) 稱為光催化活性,而這種能夠表現(xiàn)出這種光催化活性的半導(dǎo)體稱為光催化劑...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。