技術(shù)編號(hào):4971391
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造,特別涉及一種半導(dǎo)體制造企 業(yè)生產(chǎn)過程中的廢氣處理裝置。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造過程中會(huì)產(chǎn)生大量的廢氣,例如,在利用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝沉積多晶硅或二氣化硅層時(shí)要利用大量的硅烷(SiH4) 氣體或其它含硅氣體,用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝沉 積各種非晶硅、微晶硅和納米硅薄膜時(shí)也需要用到大量的硅烷氣體,此 外,摻雜和離子注入等工藝需要用到硼烷(B2H6)和磷烷(PH3)等氣體。 由于硅烷能在空氣中自燃,硼烷和磷烷也是...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。