技術(shù)編號:5265048
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種構(gòu)建到半導(dǎo)體集成電路中的電器件及其制造方法。 背景技術(shù)由于微機電系統(tǒng)(MEMS)是具有可動部的功能元件,所以MEMS需要腔體來作為可動部的操作空間,并且該腔體被氣密密封,以便防止外部空氣侵入以及保護功能元件。通過在基底上蝕刻犧牲膜形成腔體,在腔體中氣密密封功能元件,這已經(jīng)是公知常識了。就在JP 2006-7459中公開的功能元件而言,硅基底上的功能元件被犧牲膜覆蓋, 并且形成在犧牲膜上具有開口的抗蝕劑膜。通過該開口蝕刻犧牲膜,通過犧牲膜形成該...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。