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半導(dǎo)體制造和具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):5265085

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的領(lǐng)域,并且具體地涉及半導(dǎo)體制造和具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)當(dāng)今在日常生活中對(duì)半導(dǎo)體器件的使用越來越多。通常,這樣的半導(dǎo)體器件是通過制造過程中的許多步驟來制造的,其中包括結(jié)構(gòu)化掩模、沉積半導(dǎo)體或非半導(dǎo)體層、蝕刻這些層等等。例如在集成加速度傳感器器件的領(lǐng)域中,為了獲得可移動(dòng)的元件,通常應(yīng)用過程步驟序列,其包括在硅襯底的頂部上沉積并結(jié)構(gòu)化氧化物層。在所結(jié)構(gòu)化的氧化物層的頂部上,沉積Poly-Si (多晶硅)層。在結(jié)構(gòu)化所述多晶硅層...
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