技術(shù)編號：5265862
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種磷化銦襯底上自組織生長量子線納米材料的制備方法。本發(fā)明的特征在于采用了一種應(yīng)變補(bǔ)償技術(shù)，使用四元合金銦鋁鎵砷(InAlGaAs)作為緩沖層和間隔層，通過調(diào)整其組分以獲得均勻的量子線陣列結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 量子線結(jié)構(gòu)材料的研究不僅是半導(dǎo)體物理學(xué)、材料學(xué)研究的基本問題，而且由于其具有優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)特性，因此在半導(dǎo)體激光器、紅外探測器等光電子器件以及其他一些微電子器件中都有潛在的應(yīng)用價值。InP襯底上生長的InAs量子線材料可將材料的發(fā)光波長拓寬到1...
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