技術(shù)編號：5266725
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造集成單晶MEMS器件的方法。背景技術(shù)US6，856, 217B1公開了 一種基于徑向或橫向振動(dòng)圓盤結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件，它能夠在遠(yuǎn)高于100MHz的頻率下振動(dòng)。圓盤的中央是一個(gè)節(jié)點(diǎn)，所以當(dāng)在其中央支撐圓盤諧振器時(shí)，對襯底的定位耗散(anchor dissipation)最小，從而使得該設(shè)計(jì)可以在高頻下保持高Q值。此外，該設(shè)計(jì)在高頻下保持高硬度，并因此使得動(dòng)態(tài)范圍最大。并且，該圓盤諧振器的側(cè)壁表面區(qū)域通常大于可在以前的彎曲模式諧振器...
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